VSD負壓引流治療Ⅱ度燒燙傷20例
日期：2013-08-29
【摘要】將VSD負壓引流技術(shù)應(yīng)用于20例不同深度及性質(zhì)的燒燙傷創(chuàng)面(如淺Ⅱ度、深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度創(chuàng)面后發(fā)現(xiàn),，VSD護創(chuàng)材料技術(shù)具有加快淺Ⅱ度創(chuàng)面愈合時間,，加快深Ⅱ度及偏淺的Ⅲ度創(chuàng)面肉芽形成的時間，為創(chuàng)面爭取下一步植皮時間和成功創(chuàng)造良好的條件,，并減輕患者創(chuàng)面換藥的痛苦,，防止瘢痕過度增生。
【關(guān)鍵詞】 燒(燙)傷;VSD持續(xù)負壓引流技術(shù);創(chuàng)面愈合
筆者2006年6月—2009年12月應(yīng)用VSD負壓引流技術(shù)治療20例不同深度及性質(zhì)的燒燙傷患者取得滿意療效,，現(xiàn)報告如下：
1 資料與方法
2006年6月—2009年12月,，筆者應(yīng)用VSD負壓引流技術(shù)治療淺Ⅱ度燒燙患者15例，其中男9例,，女6例;深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度5例,，其中男3例，女2例,，年齡21～45歲,。損傷部位及原因：前臂燙傷10例，雙手燙傷4例,，雙手燒傷4例,，前臂燒傷2例。燙傷,、燒傷患肢于傷后24～36h內(nèi)清創(chuàng),，盡量去除燒燙傷創(chuàng)面水皰及腐皮，用雙氧水,、鹽水清創(chuàng)后,，用VSD負壓引流護創(chuàng)材料覆蓋貼服創(chuàng)面，盡量避免創(chuàng)面暴露,，而后用VSD貼膜完全封閉創(chuàng)面,，使創(chuàng)面成為密閉的負壓環(huán)境。引流導(dǎo)管并連接負壓引流器,，持續(xù)負壓吸引,，每天鹽水沖洗3次。本組用的VSD專用敷料(包括多孔海綿、引流管及醫(yī)用貼膜)和負壓引流器,。沖洗液可用：(1)等滲鹽水250 ml;(2)10g/L甲硝唑250ml;(3)1%過氧化氫溶液250ml,。三種溶液一般常用等滲鹽水，甲硝唑及1%過氧化氫在創(chuàng)面污物較多時考慮用,，7天為1個療程,。
2 結(jié)果
VSD負壓引流7天左右去除，淺Ⅱ度燒燙傷創(chuàng)面新生上皮完全覆蓋,，創(chuàng)面臨床達到臨床治愈;深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度燒燙創(chuàng)面為新鮮肉芽生長,，創(chuàng)面新鮮、清潔,，無異常分泌物,，為進一步植皮創(chuàng)造良好條件，以利于下一步創(chuàng)面進一步良好治療,。
3 討論
VSD負壓引流技術(shù)利用透明貼膜,，使開放的創(chuàng)面封閉形成濕潤的小環(huán)境，既能阻隔外界污染途徑,，也有利于清除滲出創(chuàng)面的有害物質(zhì)(如水腫液和過多的炎性因子),。通過導(dǎo)管持續(xù)吸引，可有效加快燒燙傷創(chuàng)面水腫組織液引流,，液化物得以及時清除,，對創(chuàng)面起到減少污染及感染，保護創(chuàng)面在密閉的環(huán)境下,，刺激新生上皮生長作用明顯,，為創(chuàng)面修復(fù)提供良好基礎(chǔ)和小環(huán)境。VSD負壓引流和常規(guī)方法治療淺Ⅱ度燒燙傷創(chuàng)面比較,，可縮短創(chuàng)面愈合時間3～5天;VSD負壓引流和常規(guī)方法治療深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度燒燙傷創(chuàng)面可促進創(chuàng)面肉芽形成,、生長的時間，明顯減少創(chuàng)面溶,、脫痂時感染的幾率,，且明顯減輕深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度燒燙傷創(chuàng)面溶、脫痂期間換藥給病人帶來的痛苦,，為治療創(chuàng)造良好的局部條件,，使患者愈合時間及住院時間明顯縮短。
魯公網(wǎng)安備 37100302000155號