VSD負(fù)壓引流治療Ⅱ度燒燙傷20例
日期：2013-08-29
【摘要】將VSD負(fù)壓引流技術(shù)應(yīng)用于20例不同深度及性質(zhì)的燒燙傷創(chuàng)面(如淺Ⅱ度,、深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度創(chuàng)面后發(fā)現(xiàn)，VSD護(hù)創(chuàng)材料技術(shù)具有加快淺Ⅱ度創(chuàng)面愈合時(shí)間,，加快深Ⅱ度及偏淺的Ⅲ度創(chuàng)面肉芽形成的時(shí)間,，為創(chuàng)面爭(zhēng)取下一步植皮時(shí)間和成功創(chuàng)造良好的條件，并減輕患者創(chuàng)面換藥的痛苦,，防止瘢痕過(guò)度增生,。
【關(guān)鍵詞】 燒(燙)傷;VSD持續(xù)負(fù)壓引流技術(shù);創(chuàng)面愈合
筆者2006年6月—2009年12月應(yīng)用VSD負(fù)壓引流技術(shù)治療20例不同深度及性質(zhì)的燒燙傷患者取得滿意療效，現(xiàn)報(bào)告如下：
1 資料與方法
2006年6月—2009年12月,，筆者應(yīng)用VSD負(fù)壓引流技術(shù)治療淺Ⅱ度燒燙患者15例,，其中男9例，女6例;深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度5例,，其中男3例,，女2例，年齡21～45歲,。損傷部位及原因：前臂燙傷10例,，雙手燙傷4例，雙手燒傷4例,，前臂燒傷2例,。燙傷、燒傷患肢于傷后24～36h內(nèi)清創(chuàng),，盡量去除燒燙傷創(chuàng)面水皰及腐皮,，用雙氧水、鹽水清創(chuàng)后,，用VSD負(fù)壓引流護(hù)創(chuàng)材料覆蓋貼服創(chuàng)面,，盡量避免創(chuàng)面暴露，而后用VSD貼膜完全封閉創(chuàng)面,，使創(chuàng)面成為密閉的負(fù)壓環(huán)境,。引流導(dǎo)管并連接負(fù)壓引流器，持續(xù)負(fù)壓吸引,，每天鹽水沖洗3次,。本組用的VSD專用敷料(包括多孔海綿、引流管及醫(yī)用貼膜)和負(fù)壓引流器,。沖洗液可用：(1)等滲鹽水250 ml;(2)10g/L甲硝唑250ml;(3)1%過(guò)氧化氫溶液250ml,。三種溶液一般常用等滲鹽水,，甲硝唑及1%過(guò)氧化氫在創(chuàng)面污物較多時(shí)考慮用，7天為1個(gè)療程,。
2 結(jié)果
VSD負(fù)壓引流7天左右去除,，淺Ⅱ度燒燙傷創(chuàng)面新生上皮完全覆蓋，創(chuàng)面臨床達(dá)到臨床治愈;深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度燒燙創(chuàng)面為新鮮肉芽生長(zhǎng),，創(chuàng)面新鮮,、清潔，無(wú)異常分泌物,，為進(jìn)一步植皮創(chuàng)造良好條件,，以利于下一步創(chuàng)面進(jìn)一步良好治療。
3 討論
VSD負(fù)壓引流技術(shù)利用透明貼膜,，使開(kāi)放的創(chuàng)面封閉形成濕潤(rùn)的小環(huán)境,，既能阻隔外界污染途徑，也有利于清除滲出創(chuàng)面的有害物質(zhì)(如水腫液和過(guò)多的炎性因子),。通過(guò)導(dǎo)管持續(xù)吸引,，可有效加快燒燙傷創(chuàng)面水腫組織液引流，液化物得以及時(shí)清除,，對(duì)創(chuàng)面起到減少污染及感染,，保護(hù)創(chuàng)面在密閉的環(huán)境下，刺激新生上皮生長(zhǎng)作用明顯,，為創(chuàng)面修復(fù)提供良好基礎(chǔ)和小環(huán)境,。VSD負(fù)壓引流和常規(guī)方法治療淺Ⅱ度燒燙傷創(chuàng)面比較，可縮短創(chuàng)面愈合時(shí)間3～5天;VSD負(fù)壓引流和常規(guī)方法治療深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度燒燙傷創(chuàng)面可促進(jìn)創(chuàng)面肉芽形成,、生長(zhǎng)的時(shí)間,，明顯減少創(chuàng)面溶、脫痂時(shí)感染的幾率,，且明顯減輕深Ⅱ度及偏淺的小面積的Ⅲ度燒燙傷創(chuàng)面溶,、脫痂期間換藥給病人帶來(lái)的痛苦，為治療創(chuàng)造良好的局部條件,，使患者愈合時(shí)間及住院時(shí)間明顯縮短,。
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